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國產瀾起科技DDR4全緩沖架構納入國際標準 正研發DDR5內存
出自:快科技

在存儲芯片領域,DRAM內存及NAND閃存的國產率都基本是0,技術及產能主要掌握在三星、SK Hynix、美光、東芝等公司手中,尤其是高價值的DRAM內存芯片,三星、SK Hynix及美光三家公司占了全球95%的份額。

國內的DRAM內存芯片布局主要有合肥長鑫/兆易創新的內存芯片項目,福建晉華與臺聯電合作的內存項目由于被美國制裁而陷入了困境。除了DRAM芯片,國內還是一些公司主攻內存接口芯片,前不久宣布津逮系列國產X86處理器的杭州瀾起科技就是其中之一,該公司正在申請國內的科創板上市,日前在招股書中披露了他們在DDR內存芯片上的技術進展及布局。

瀾起科技成立于2004年,是全球內存接口芯片的主要供應商之一,憑借領先的技術水平,在DDR4階段逐步確立了行業領先優勢,公司2018年營業收入175,766.46萬元,凈利潤73,687.84萬元。

瀾起科技發明了DDR4全緩沖“1+9”架構,最終被JEDEC國際標準采納。公司憑借具有自主知識產權的高速、低功耗技術,為新一代服務器平臺提供完全符合 JEDEC 標準的高性能內存接口解決方案,同時正積極參與DDR5 JEDEC 標準的制定,是全球可提供從DDR2到 DDR4內存全緩沖/半緩沖完整解決方案的主要供應商之一,在該領域擁有重要話語權。

目前,公司根據內存模組制造商的研發進度,積極布局研發DDR5存接口芯片,新一代產品能夠有效支持DDR5的高速、低功耗等要求。

根據瀾起科技的公告,在內存接口芯片業務領域,為鞏固公司的市場領先地位,瀾起在未來三年完成第一代DDR5內存接口芯片的研發和產業化。 

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